SiC材料因其高频、高压、高效等显著特点,在电力电子产品中已得到了广泛的研究与应用。继CREE、ROHM推出1200V 最大电流300A的 SiC MOSFET模块后,英飞凌于2020年4月推荐三款1200V 62mm封装的SiC MOSFET,电流分别为250A、375A、500A,其中,500A是目前已知SiC MOSFET 62mm封装半桥模块中最大电流等级。
主流SiC厂家将大功率SiC MOSFET模块设计为62mm封装,具有一定的外形兼容性,同时,SiC MOSFET的驱动电路也可兼容多个SiC品牌,如:英飞凌、CREE等主流SiC厂家。
数字驱动专家:飞仕得(Firstack)推出一款针对62mm封装SiC MOSFET的数字驱动板:2FSD0410-62C,该驱动驱动峰值电流±10A,单路驱动功率为4W,具有软关断和米勒钳位功能。
原边电流输入直流电压Vcc,通过DC/DC电路供电到副边,保证整个驱动的能量输送;原边PWM信号输入通过数字核处理后隔离传输至副边,经过相磁放大电路得到半导体器件SiC MOSFET的驱动信号。
主要功能说明:
1、温度采集及过温检测;
2、短路保护;
3、欠压保护;
4、软关断;
5、智能故障管理;
6、PWM输入互锁;
飞仕得(Firstack)是IGBT智能驱动的领导品牌,致力于智能IGBT驱动器、功率STACK的研发销售,提供完整、高品质的功率模组整体解决方案。作为全球首家将智能驱动引入到新能源发电领域的企业,也是国内最大的风电变流器驱动供应商。
北京富凌联合电子是飞仕得一级代理商,全线代理飞仕得旗下所有产品,库存丰富,正品保证。
匹配SiC MOS模块型号如下:
FF6MR12KM1 250A/1200V 6mΩ 英飞凌
FF3MR12KM1 375A/1200V 3mΩ 英飞凌
FF2MR12KM1 500A/1200V 2mΩ 英飞凌
CAS120M12BM2 120A/1200V CREE
CAS300M12BM2 300A/1200V CREE
CAS300M17BM2 300A/1700V CREE